A Samsung revelou sua memória HBM3E chamada Shinebolt durante o evento Memory Tech Days 2023. A memória HBM3E da empresa é uma atualização da memória HBM3 existente e fornece novos padrões para largura de banda e velocidade de memória. Ele foi projetado para ser usado com processadores e GPUs de última geração para servidores e computação de ponta. A empresa também revelou mais informações sobre o desenvolvimento de VRAM GDDR7, memória LPDDR5X CAMM e AutoSSD removível.
A memória HBM3E da Samsung é considerada mais rápida do que chips semelhantes da Micron e SK Hynix
A DRAM Shinebolt HBM3E da empresa sul-coreana foi projetada para uso em data centers para treinamento de modelos de IA e muitos outros aplicativos de alto desempenho. Oferece velocidades de transferência de dados de 9,8 Gbps por pino, o que significa que pode atingir taxas de transferência de até 1,2 Tbps. A Samsung aprimorou a tecnologia NCF (Filme Não Condutor) para eliminar lacunas entre as camadas do chip e melhorar a condutividade térmica.
A Samsung fabrica um chip HBM de 24 GB usando um nó de classe 4G baseado em EUV de 10 nm (14 nm). Usando os kits 8Hi e 12Hi, a empresa pode produzir capacidades de 24 GB e 36 GB, fornecendo capacidades 50% maiores que a memória HBM3. A empresa anuncia um mínimo de 8 Gbps/pin e oferece um único pacote HBM3E com largura de banda mínima de 1 TB/s e largura de banda máxima de 1.225 TB/s, que é superior aos concorrentes Micron e SK Hynix.
A memória HBM3E da empresa está atualmente em estágio de amostragem e sendo enviada aos seus clientes para teste, e a produção em massa desses chips de memória começará em 2024.
Samsung revela mais detalhes sobre o desenvolvimento da memória HBM4
A Samsung também revelou que utilizará técnicas mais avançadas de fabricação e embalagem para a memória HBM4. Embora a especificação HBM4 ainda não tenha sido aprovada, foi revelado que a indústria pretende utilizar uma interface de memória mais ampla (2048 bits). A empresa quer usar transistores FinFET em vez de transistores planares para reduzir o consumo de energia.
A fabricante sul-coreana de chips de memória deseja passar da micro-ligação para a ligação indireta (direta de cobre com cobre) para embalagens. Esta tecnologia é relativamente nova, mesmo na fabricação de chips lógicos, portanto o HBM4 pode ser muito caro.
Samsung GDDR7 oferece consumo de energia em standby 50% menor
Há alguns meses, a Samsung revelou que havia concluído o desenvolvimento inicial da memória GDDR7. GDDR7 usa sinais PMA3, fornecendo 1,5 bits a serem transferidos por ciclo. A empresa começará a fornecer módulos de 16 Gb (2 GB) que podem rodar a até 32 Gbps, o que representa uma melhoria de 33% em relação à memória GDDR6.
Ele pode fornecer uma velocidade de transferência de 1 TB/s em um barramento de memória de 256 bits. Este novo tipo de memória melhora a eficiência energética nos estados ativo e de espera, graças a controles de relógio adicionais. A Samsung espera ser a primeira empresa a começar a distribuir chips de memória GDDR7 em algum momento de 2024. No entanto, o prazo específico ainda não foi revelado.
Samsung também revelou memória Petabyte SSD e LPCAMM
Durante o evento Memory Tech Days 2023, a Samsung também revelou que pode ser a primeira a lançar um SSD do tamanho de um petabyte (PBSSD). Há alguns dias, ela anunciou um novo formato para DRAM LPDDR5X para laptops e PCs: chips de memória LPCAMM. O formato DRAM compacto e destacável permite que os mercados de laptops e PCs forneçam mais dispositivos incorporados nos quais a DRAM não é soldada. Portanto, os usuários podem remover e atualizar os módulos CAMM2 DRAM.
Para cargas de trabalho especializadas de IA no dispositivo, a empresa também ofereceu LLW2 DRAM. A Samsung também revelou chips DRAM LPDDR5X de 9,6 Gbps e chipsets UFS (Universal Flash Storage) de próxima geração. A empresa também revelou o SSD QLC (quad-level cell) de alta capacidade BM9C1 para PCs.
Samsung apresenta as primeiras unidades SSD removíveis do mundo para uso em carros
Para uso em carros, a Samsung anunciou o sistema AutoSSD destacável, que possui velocidades de transferência de dados de até 6.500 MB por segundo e capacidade de armazenamento de até 4 TB. Por ser removível, as montadoras podem fazer alterações nas configurações de seus veículos. A empresa sul-coreana também apresentou chips de memória GDDR7 VRAM e LPDDR5X DRAM de alta largura de banda.
Jong Bae Lee, presidente e chefe da divisão de negócios de memória da Samsung Electronics, disse:A nova era da IA em grande escala levou a indústria a uma encruzilhada onde a inovação e as oportunidades se cruzam, apresentando um momento com potencial para grandes avanços, apesar dos desafios. Através de imaginação infinita e perseverança incansável, continuaremos a liderar o mercado, impulsionando a inovação e colaborando com clientes e parceiros para fornecer soluções que expandam as possibilidades.”
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